导读：外媒：国产“光刻机”进入多路线围攻时刻了

早在3年前，ASML公司CEO曾言：“即便公开图纸，也造不出EUV光刻设备。”这句话宛如一根利刺，深深刺痛了技术人员的心。彼时，ASML凭借对EUV（极紫外）光刻机的独家垄断地位，掌控着7nm及以下先进制程的关键命脉。而我国在光刻机领域长期遭受海外技术封锁，似乎只能在艰难的“跟跑”状态中摸索前行。

然而，仅仅过了短短三年，我们便以实际行动给出了有力回应。在光刻领域，我们成功开辟出多条技术路线，并且每条路线都实现了从“追赶”到“突破”的重大跨越，让曾经那些质疑之音不攻自破。对此外媒也纷纷表示：国产“光刻机”进入多路线围攻时刻了！

01突破技术死局：多条路线齐发力

在纳米压印领域，此前日本佳能处于领先地位，其设备线宽能够达到14nm，对应传统5nm制程。而就在近期，有企业成功实现逆袭，首台由该企业自主设计研发的PL - SR系列纳米压印设备，已交付至特色工艺客户手中。此设备线宽小于10nm，一举超越了佳能的同类设备。并且，该设备在存储、硅基微显、硅光等领域完成了研发验证工作，为这些领域的制造提供了全新的高效解决方案。

在电子束光刻方面，日前研发团队推出了首台商业机。该商业机精度达到0.6nm，线宽为8nm，可通过电子束直接刻写电路，无需使用掩膜版，具有极高的灵活性。据悉，该设备已成功进入测试阶段，尤其适用于量子研发以及高端前期科研工作。此项技术成功解决了长期以来因国际出口管制，导致科研机构难以获取此类设备的难题。

更值得关注的是，即便在最具挑战性的传统光刻领域，我国也取得了显著的突破。经过持续攻关，现已成功研制出ArF设备，套刻精度达到8nm以内，为汽车电子、物联网等领域的成熟制程生产提供了有力的技术支持。接下来，相关团队将向浸润式（DUV）光刻技术发起挑战。

此外，在EUV光刻的核心光源技术方面，我国科研团队独辟蹊径，采用DPP（放电等离子体）技术，目前已实现30瓦功率的稳定输出。尽管与ASML的商用标准仍存在一定差距，但已足以支撑原型机的运行，为EUV技术的发展奠定了关键基础。与此同时，SSMB（稳态微聚束）光源研究也在紧锣密鼓地推进中，有望取得新的突破。

这些从技术探索到逐步落地的成果，让外媒也不得不承认：ASML很无奈，如今中企“技术正从‘追图纸’的阶段迈入‘定标准’的时代。”

02从追赶到领跑，掀起逆袭潮

事实上，光刻领域所取得的突破并非孤立现象。近年来，在高端制造、生物等多个曾经被欧美国家垄断的领域，均呈现出“从跟跑到领跑”的发展态势。

不难看出，无论是光刻、设备制造还是生物科技领域，这些案例均揭示出一个共同的逻辑：尽管欧美国家拥有领先我国数十年的先发优势，但近年来，由于其自满情绪滋生以及发展停滞，技术提升的速率已逐渐减缓。

当前，我国完全有能力在高端领域实现从“遭受专利封锁”到“参与制定标准”的重大跨越。

03弯道追赶，普通人将享哪些红利？

如今，光刻技术的突破已成功实现从实验室到产业领域的跨越。科技层面的纳米压印设备，将有力推动存储成本的降低。在未来，手机、电脑的存储容量有望变得更大，价格也会更加亲民。同时，加速量子研发工作，有望进一步提升人工智能的算力水平，使得智能家居、自动驾驶的响应更为迅速。倘若EUV技术能够实现突破，5G基站、大数据中心的核心部件将不再依赖进口，数字生活体验也会变得更加稳定。

综合来看，这一切正如外媒所说：国产“光刻机”进入多路线围攻时刻了；我国相关专家曾如此评价：“攻克EUV技术的条件已然成熟，可谓万事俱备，只欠东风。如今”国产“光刻机”已经进入多路线围攻时刻，外媒也表示：ASML很无奈，而实际情况也确实印证了这一观点。从光刻领域的多线突破，到科技层面的自主创新，凭借着扎实且丰硕的创新成果，正逐步改写高端产业的规则体系。